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DDR2和DDR的区别

1.速率和预取数量

DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存的预期4-4位容量是标准DDR内存的两倍。

2.封装和电压

DDR包是TSOPII，DDR2包是FBGA；

DDR的标准电压是2.5V，DDR2的标准电压是1.8V

3、位预取

DDR是2位预取，DDR2是4位预取。

4.新技术的引入

2 DDR2介绍强迫症、ODT和波斯特。

(1) ODT: ODT是内置核心的终端电阻。其作用是使DQS、RDQS、DQ和DM信号消耗在端接电阻上，并防止这些信号在电路上反射；

(2)Post CAS:为提高DDR2内存的利用效率而设置；

如果没有预CAS功能，其他L-L存储体的寻址操作可能会被延迟，因为当前存储体的CAS命令占用了地址线，并且数据I/O总线变得空闲。当使用预CAS功能时，消除了命令冲突，并提高了数据I/O总线的利率。

(3)OCD(片外驱动):离线驱动调整，DDR2可以通过OCD提高信号完整性。

OCD的功能是调整DQS和DQ之间的同步，以确保信号的完整性和可靠性。OCD的主要作用是调节I/O接口的电压，以补偿上拉和下拉电阻值，从而使DQS和DQ数据信号之间的偏差最小。在校准过程中，分别测试DQS高电平与DQ高电平、DQS低电平与DQ高电平的同步性。如果不满足要求，则通过设置突发长度的地址线来传输上拉/下拉电阻电平，直到测试合格才退出OCD操作。

DDR3和DDR2的区别

1.DDR2是1.8V，DDR3是1.5V

2.DDR3采用CSP和FBGA封装，8位芯片采用78球FBGA封装，16位芯片采用96球FBGA封装，DDR2采用60/68/84球FBGA封装。

3.逻辑库数量，DDR2有4个库，8个库，而DDR3有8个初始库；

4.突发长度：因为DDR3预计为88位，所以突发长度(BL)也固定为8位。对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突发斩波模式，即BL=4读操作和BL=4写操作合成一个BL。

5.寻址时序：DDR2的AL为0~4，DDR3为0，CL-1，CL-2。此外，DDR3增加了——写延迟的定时参数(CWD)；

6.位预取：DDR 2是4位预取，DDR3是8位预取；

7.新功能：ZQ是一个新的引脚，它与240欧姆的低容差参考电阻相连。新增了裸SRT可编程温控存储的时钟频率功能(自刷新温度)和PASR的本地存储库刷新功能(PartialArray自刷新)，可以说是对整个存储库进行更有效的数据读写，达到省电的效果。

8.DDR3的参考电压分为两部分，即服务于命令和地址信号的VREFCA和服务于数据总线的VREFDQ，将有效降低系统数据总线的信噪比水平；

9.点对点连接(P2P)，这是提高系统性能的一个重要变化。

总体比较

DDR4的前景

本文讲解到此结束，希望对大家有所帮助。